+7 (495) 234-99-88 +7 (499) 653-55-05 Заказать звонок

Подготовка к TOEFL iBT Writing: Стратегия. Часть 2

Подготовка к TOEFL iBT Writing: Стратегия. Часть 2

Итак, при пробном написании эссе TOEFL старайтесь разнообразить свою лексику, а также применять как можно большее количество грамматических конструкций. Не бойтесь использовать новые слова и устойчивые выражения. Именно так их можно выучить и научиться применять в соответствующем контексте. Используя богатый словарный запас и разнообразные грамматические конструкции, вы произведете должное впечатление на аттестующего.

Внимательно ознакомьтесь со структурой эссе и придерживайтесь ее во время написания пробного и официального эссе. Сочинение состоит из трех компонентов: введение, тезис и заключение. Каждая часть обладает своими отличительными чертами, которые необходимо учитывать.

Учитесь систематизировать свои мысли. Прежде чем приступить к выполнению задания, уделите 2-5 минут на краткое изложение основных идей вашего будущего эссе. Не беспокойтесь о времени. Хороший план избавит вас от ошибок и неточностей и даже даст возможность сэкономить пару минут. Как написать план? Определите главную идею каждого параграфа и выразите ее в двух-трех ключевых фразах, а также обозначьте несколько примеров и ценных уточнений. Не используйте в плане длинные предложения – достаточно нескольких слов или фраз, по которым вы будете придерживаться схемы действий и попутно добавлять информацию. Это позволит  вам написать хорошо структурированное и логически последовательное эссе.

Научитесь употреблять вводные слова, чтобы плавно переходить от идее к идее, добавлять информацию, приводить примеры, производить сравнительный анализ и т. д. Такие слова, как: «к тому же», «в добавление», «к примеру», «с другой стороны», «таким образом», «во-первых», «во-вторых» и т. д. помогут вам связно выразить свои мысли.

Тренируйтесь на время. В самом начале подготовительного процесса вы можете писать эссе, не отвлекаясь на отсчет времени. Однако впоследствии, постарайтесь учитывать регламент заданий и подстраиваться под него.

Отслеживайте свой прогресс. Попросите своего репетитора или преподавателя проверить ваши эссе с позиции аттестующего члена комиссии экзамена TOEFL iBT. Вам необходим взгляд со стороны, а педагог грамотно укажет как на недочеты, которые надо доработать, так и на ваши сильные стороны.

В задании Independent Writing обычно используются определенные известные темы для эссе. Составьте свой список тем и практикуйтесь в написании сочинений. Не забывайте при этом о структуре эссе. Следуйте своему плану. Выражайте свое мнение и подкрепляйте его примерами и уточнениями.

Очень важным навыком в написании эссе задания Integrated Writing является перефразировка. Она поможет вам выразить идеи представленного текста своими словами. Целенаправленно пересказывайте различные тексты. Не просто переписывайте исходный материал, а пишите выборочно (только ключевые моменты) своими словами.

Стратегии прохождения экзамена

Не забудьте составить план перед тем, как приступать к эссе. Он сэкономит ваше время и сведет ошибки к минимуму.

Внимательно отслеживайте время. Не забывайте о том, что задания обоих разделов имеют временные ограничения. Если у вас осталась минута – не переходите к следующему заданию. Лучше перепроверьте то, что вы уже сделали, так вы можете заметить и исправить ошибки.

Не пишите слишком объемные тексты – не более 300 слов в задании Independent Writing и 150-225 слов в Integrated Writing.

Используйте вводные слова. Таким образом, читатель отследит вашу мысль без особых усилий.

Ещё несколько трюков для написания удачного эссе, о которых умалчивают книги и учебники, смотрите в этом видео:

TOEFL подготовка требует существенных затрат времени и сил. Но некоторые несложные советы могут ускорить и облегчить этот процесс. Успехов Вам на экзамене TOEFL!

Предыдущая часть статьи здесь.

По материалам: i-courses.org.

Назад

Оставьте ваш e-mail и будьте в курсе последних новостей и акций

Нажимая, вы соглашаетесь на обработку ваших персональных данных
Теги
+7 (495) 234-99-88, +7 (499) 653-55-05